FET - Übersetzung nach russisch
Diclib.com
Wörterbuch ChatGPT
Geben Sie ein Wort oder eine Phrase in einer beliebigen Sprache ein 👆
Sprache:

Übersetzung und Analyse von Wörtern durch künstliche Intelligenz ChatGPT

Auf dieser Seite erhalten Sie eine detaillierte Analyse eines Wortes oder einer Phrase mithilfe der besten heute verfügbaren Technologie der künstlichen Intelligenz:

  • wie das Wort verwendet wird
  • Häufigkeit der Nutzung
  • es wird häufiger in mündlicher oder schriftlicher Rede verwendet
  • Wortübersetzungsoptionen
  • Anwendungsbeispiele (mehrere Phrasen mit Übersetzung)
  • Etymologie

FET - Übersetzung nach russisch

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР
Униполярный транзистор; Затвор (электроника); FET; Jfet; Транзистор, полевой; Полевые транзисторы; JFET; Канальный транзистор
  • принципиальных схемах]]
  • альт=<nowiki>Сток-затворная характеристика (слева) и семейство стоковых характеристик (справа) полевого транзистора с затвором в виде p-n перехода и каналом n-типа.  {\displaystyle V_{GS}}  — напряжение затвор-исток;  {\displaystyle V_{DS}}  — напряжение сток-исток;  {\displaystyle I_{DS}}  — ток стока или истока;  {\displaystyle V_{P}}  — запирающее напряжение затвора, или напряжение отсечки.</nowiki>
  •  В данной схеме в качестве нелинейного элемента используется МДП транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом.
  • Мощный полевой транзистор с каналом N-типа
  • Рис. 3. Выходные статические характеристики (a) и сток-затворная характеристика (b) МДП-транзистора со встроенным каналом.
  • Схема полевого транзистора
  • Рис. 1. Конструкция полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом n-типа<br>а) с затвором со стороны подложки;<br>b) с диффузионным затвором.
  • Рис. 2. Устройство полевого транзистора с изолированным затвором.<br>a) — с индуцированным каналом, b) — со встроенным каналом
  • Схема включения полевого транзистора с управляющим p-n-переходом с общим затвором
  • Схема включения полевого транзистора с управляющим p-n-переходом с общим истоком
  • Схема включения полевого транзистора с управляющим p-n-переходом с общим стоком

FET         
  • FET conventional symbol types
  • Insulator}}
Top: source, bottom: drain, left: gate, right: bulk. Voltages that lead to channel formation are not shown.
  • I–V characteristics and output plot of a JFET n-channel transistor.
  • [[Julius Edgar Lilienfeld]] proposed the concept of a field-effect transistor in 1925.
  • Cross section of an n-type MOSFET
  • Simulation result for right side: formation of inversion channel (electron density) and left side: current-gate voltage curve (transfer characteristics) in an n-channel [[nanowire]] [[MOSFET]]. Note that the [[threshold voltage]] for this device lies around 0.45&nbsp;V.
TRANSISTOR THAT USES AN ELECTRIC FIELD TO CONTROL ITS ELECTRICAL BEHAVIOUR
Field-effect transistors; Field-Effect Transistor; Field Effect Transistor; Depletion mode transistor; Depletion-mode transistor; FREDFET; Gate (transistor); Field effect transistor; Field effect transistors; Unipolar transistor; Unipolar transistors; Transistor channel; Channel (transistors); Drain (transistor); Source (transistor); Substrate (transistor); Bulk (transistor); FET (transistor); Body (transistor); Channel (transistor); FET; Depletion Mode Transistor; Fast-reverse epitaxial diode field-effect transistor; Fast-recovery epitaxial diode field-effect transistor; Channel (semiconductor); Gate electrode; P-channel; N-channel; Gate (FET); Drain (FET); Source (FET)

общая лексика

Field Effect Transistor

полевой транзистор

существительное

общая лексика

Федеральный акцизный сбор (США)

синоним

Federal Excise Tax

field-effect transistor         
  • FET conventional symbol types
  • Insulator}}
Top: source, bottom: drain, left: gate, right: bulk. Voltages that lead to channel formation are not shown.
  • I–V characteristics and output plot of a JFET n-channel transistor.
  • [[Julius Edgar Lilienfeld]] proposed the concept of a field-effect transistor in 1925.
  • Cross section of an n-type MOSFET
  • Simulation result for right side: formation of inversion channel (electron density) and left side: current-gate voltage curve (transfer characteristics) in an n-channel [[nanowire]] [[MOSFET]]. Note that the [[threshold voltage]] for this device lies around 0.45&nbsp;V.
TRANSISTOR THAT USES AN ELECTRIC FIELD TO CONTROL ITS ELECTRICAL BEHAVIOUR
Field-effect transistors; Field-Effect Transistor; Field Effect Transistor; Depletion mode transistor; Depletion-mode transistor; FREDFET; Gate (transistor); Field effect transistor; Field effect transistors; Unipolar transistor; Unipolar transistors; Transistor channel; Channel (transistors); Drain (transistor); Source (transistor); Substrate (transistor); Bulk (transistor); FET (transistor); Body (transistor); Channel (transistor); FET; Depletion Mode Transistor; Fast-reverse epitaxial diode field-effect transistor; Fast-recovery epitaxial diode field-effect transistor; Channel (semiconductor); Gate electrode; P-channel; N-channel; Gate (FET); Drain (FET); Source (FET)

машиностроение

транзистор канальный

полевой транзистор

unipolar transistor         
  • FET conventional symbol types
  • Insulator}}
Top: source, bottom: drain, left: gate, right: bulk. Voltages that lead to channel formation are not shown.
  • I–V characteristics and output plot of a JFET n-channel transistor.
  • [[Julius Edgar Lilienfeld]] proposed the concept of a field-effect transistor in 1925.
  • Cross section of an n-type MOSFET
  • Simulation result for right side: formation of inversion channel (electron density) and left side: current-gate voltage curve (transfer characteristics) in an n-channel [[nanowire]] [[MOSFET]]. Note that the [[threshold voltage]] for this device lies around 0.45&nbsp;V.
TRANSISTOR THAT USES AN ELECTRIC FIELD TO CONTROL ITS ELECTRICAL BEHAVIOUR
Field-effect transistors; Field-Effect Transistor; Field Effect Transistor; Depletion mode transistor; Depletion-mode transistor; FREDFET; Gate (transistor); Field effect transistor; Field effect transistors; Unipolar transistor; Unipolar transistors; Transistor channel; Channel (transistors); Drain (transistor); Source (transistor); Substrate (transistor); Bulk (transistor); FET (transistor); Body (transistor); Channel (transistor); FET; Depletion Mode Transistor; Fast-reverse epitaxial diode field-effect transistor; Fast-recovery epitaxial diode field-effect transistor; Channel (semiconductor); Gate electrode; P-channel; N-channel; Gate (FET); Drain (FET); Source (FET)

общая лексика

униполярный транзистор

Definition

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР
(канальный транзистор) , транзистор, в котором изменение выходного тока происходит под действием перпендикулярного ему электрического поля, создаваемого входным сигналом. Имеет структуру полупроводника с электронно-дырочным переходом, контакта металл - полупроводник либо структуру металл - диэлектрик - полупроводник. Применяется для усиления сигналов по мощности и напряжению.

Wikipedia

Полевой транзистор

Полево́й (униполя́рный) транзи́стор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.

Область, из которой носители заряда уходят в канал, называется истоком, область, в которую они уходят из канала, называется стоком, электрод, на который подается управляющее напряжение, называется затвором.

Beispiele aus Textkorpus für FET
1. Among other literary landmarks Tolstoy has in his sights is the estate of famous Russian poet Afanasy Fet –– a beautiful countryside mansion surrounded by a park –– which inspired Fet to write his best collection of poetry after a 15–year–long writer‘s block.
2. The signs ask people to go to http://StopTheFETIncrease.com (FET stands for federal excise tax). "Smokers are being targeted for a 156% tax hike," the site says.
Übersetzung von &#39FET&#39 in Russisch